1-5 人會編造記憶，但記憶體不會，沒了就是沒了

2022 iThome 鐵人賽

DAY 6

自我挑戰組

冒牌工程師上學去系列第 6 篇

14th鐵人賽

2022-09-21 23:53:35

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上次提到記憶體Memory粗略架構以及分層的原因，今天詳細說明一下。

`內部記憶體＿RAM`

#	DRAM	SRAM
速度	慢	快
容量	較大	較小
用途	主記憶體	快取記憶體
價格	較低	較高
使用元件	電容	正反器
更新電路	需要持續充電不然資料會不見。我們稱為 DRAM 的一個「基本儲存單元」為一個bit，每一個bit都包含了一個電晶體＋一個電容。然後就可以視電容器是否有充電電荷存在、來判別目前的記憶狀態。	正反器由邏輯閘所組成，每一格邏輯閘都要花數個電晶體才能存一個bit

`內部記憶體＿ROM`

#|PROM|EPROM|EEPROM
----|----|----
可更新次數|1次|多次|多次
寫入方式|燒錄|紫外光|電流

`內部記憶體＿ROM和RAM比較`

#	ROM	RAM
揮發性	資料不具揮發性	資料有揮發性
讀寫	只可讀	可讀可寫
容量	較大	較小

`外部記憶體＿USB種類對應的速度`

2.0 - 480 Mbp/s iPhone 的Lightning 連接埠只有USB 2.0 的速度
3.0 - 4800 Mbp/s
3.1 - 10 Gbp/s
3.2 - 20 Gbp/s

QA時間
為何動態 RAM（DRAM）需要週期性的再生（Refresh）？
(A)因為電容非理想，會漏電
(B)因為電晶體非理想，會漏電
(C)因為基板會導電
(D)因為系統編碼需要

(電子學- 96 年 - 96 年公務人員特種考試原住民特考5等)
昨天答案:(C)

小故事：iPhone專用的lightening線要被取代了？？

為減少電子垃圾的產生，讓消費者可透過同一個充電裝置為多款電子產品充電，歐盟今年6月通過決議，到2024年秋季，USB type-C將成為歐盟所有電子產品的通用充電接頭，這對於Apple莫過於是一大衝擊。
除了面對歐盟的統一type-C壓力外，iPhone Lightning更大的問題是速度。原因是iPhone的Lightning連接埠只有 USB2.0 的速度，跟現在type-C已經支援USB3.2速度相差甚遠。
最近iPhone14還是使用Lightning，究竟15會不會換成type-C呢？